سن خوزه -- شرکت سامسونگ الکترونیکس خدمات بستهبندی سهبعدی (3D) را برای حافظههای با پهنای باند بالا (HBM) در طول سال راهاندازی خواهد کرد، فناوریای که انتظار میرود برای مدل نسل ششم تراشه هوش مصنوعی HBM4 که قرار است در سال 2025 عرضه شود، معرفی شود. این خبر را منابع این شرکت و صنعت اعلام کردهاند.
در تاریخ ۲۰ ژوئن، بزرگترین تولیدکننده تراشه حافظه در جهان، جدیدترین فناوری بستهبندی تراشه و نقشه راه خدمات خود را در انجمن ریختهگری سامسونگ ۲۰۲۴ که در سن خوزه، کالیفرنیا برگزار شد، رونمایی کرد.
این اولین باری بود که سامسونگ فناوری بستهبندی سهبعدی برای تراشههای HBM را در یک رویداد عمومی رونمایی میکرد. در حال حاضر، تراشههای HBM عمدتاً با فناوری 2.5D بستهبندی میشوند.
این خبر حدود دو هفته پس از آن منتشر شد که جنسن هوانگ، یکی از بنیانگذاران و مدیرعامل انویدیا، طی سخنرانی در تایوان، از معماری نسل جدید پلتفرم هوش مصنوعی خود، روبین، رونمایی کرد.
حافظه HBM4 احتمالاً در مدل جدید پردازندههای گرافیکی Rubin انویدیا که انتظار میرود در سال ۲۰۲۶ به بازار عرضه شود، تعبیه خواهد شد.

اتصال عمودی
جدیدترین فناوری بستهبندی سامسونگ شامل تراشههای HBM است که به صورت عمودی روی یک پردازنده گرافیکی (GPU) قرار گرفتهاند تا یادگیری دادهها و پردازش استنتاج را بیشتر تسریع کنند، فناوریای که به عنوان یک تغییر دهنده بازی در بازار رو به رشد تراشههای هوش مصنوعی در نظر گرفته میشود.
در حال حاضر، تراشههای HBM به صورت افقی با یک پردازنده گرافیکی (GPU) روی یک رابط سیلیکونی تحت فناوری بستهبندی ۲.۵ بعدی متصل میشوند.
در مقابل، بستهبندی سهبعدی نیازی به رابط سیلیکونی یا یک زیرلایه نازک که بین تراشهها قرار میگیرد تا به آنها امکان ارتباط و همکاری بدهد، ندارد. سامسونگ فناوری بستهبندی جدید خود را SAINT-D مینامد که مخفف Samsung Advanced Interconnection Technology-D است.
خدمات کلید در دست
گفته میشود این شرکت کره جنوبی بستهبندی سهبعدی HBM را به صورت کلید در دست ارائه میدهد.
برای انجام این کار، تیم بستهبندی پیشرفتهی آن، تراشههای HBM تولید شده در بخش کسبوکار حافظه را به صورت عمودی با پردازندههای گرافیکی (GPU) مونتاژ شده برای شرکتهای بدون کارخانه توسط واحد ریختهگری خود، متصل خواهد کرد.
یکی از مقامات سامسونگ الکترونیکس گفت: «بستهبندی سهبعدی مصرف برق و تأخیرهای پردازش را کاهش میدهد و کیفیت سیگنالهای الکتریکی تراشههای نیمهرسانا را بهبود میبخشد.» سامسونگ قصد دارد در سال ۲۰۲۷ فناوری یکپارچهسازی ناهمگن همهکاره را معرفی کند که عناصر نوری را در خود جای میدهد و سرعت انتقال داده نیمهرساناها را به طرز چشمگیری در یک بسته یکپارچه از شتابدهندههای هوش مصنوعی افزایش میدهد.
طبق گزارش TrendForce، یک شرکت تحقیقاتی تایوانی، با توجه به تقاضای رو به رشد برای تراشههای کممصرف و با کارایی بالا، پیشبینی میشود HBM در سال ۲۰۲۵، ۳۰ درصد از بازار DRAM را از ۲۱ درصد در سال ۲۰۲۴ تشکیل دهد.
موسسه تحقیقاتی MGI پیشبینی کرده است که بازار بستهبندی پیشرفته، از جمله بستهبندی سهبعدی، تا سال ۲۰۳۲ به ۸۰ میلیارد دلار افزایش یابد، در حالی که این رقم در سال ۲۰۲۳، ۳۴.۵ میلیارد دلار بوده است.
زمان ارسال: 10 ژوئن 2024